YX47XX设计用于驱动采用同步降压，升压或半桥配置的高边和低边增强型氮化镓 (GaN) FET和Low VTH MOSFET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成，集成内部电压钳位，可防止栅极电压超过增强型 GaN FET的最大栅源电压额定值。YX47XX的输入与TTL逻辑兼容，具有分离栅输出，且可独立灵活地调节导通和关断强度。